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IXFN 21N100Q
10
30000
8
V DS = 500 V
I D = 21 A
10000
Ciss
f = 100kHz
I G = 10 mA
6
4
2
1000
100
Coss
Crss
0
0
40
80
120
160
200
60
0
5
10
15
20
25
30
35
40
90
75
60
45
Gate Charge - nC
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
V DS - Volts
Fig.8 Capacitance Curves
30
15
T J = 125 O C
T J = 25 O C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V SD - Volts
Fig.9 Drain Current vs Drain to Source Voltage
1.000
0.100
0.010
0.001
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
Pulse Width - Seconds
Fig.10 Transient Thermal Impedance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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